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KDP KD P

KDP KD P

磷酸二氫鉀(KDP),磷酸二氘鉀(DKDP)由于其擁有優(yōu)越的紫外透過,高損傷閾值,雙折射系數(shù)高等特性,被廣泛地應(yīng)用在多種工業(yè)用途(其非線性系數(shù)偏低)。這兩種晶體通常被用于做Nd:YAG激光器的二、三、四倍頻器件（室溫條件下）。另外，它們也具有電光系數(shù)高的特點，故也被用于制作Q開關(guān)等。

磷酸二氫鉀(KDP),磷酸二氘鉀(DKDP)由于其擁有優(yōu)越的紫外透過,高損傷閾值,雙折射系數(shù)高等特性,被廣泛地應(yīng)用在多種工業(yè)用途(其非線性系數(shù)偏低)。這兩種晶體通常被用于做Nd:YAG激光器的二、三、四倍頻器件（室溫條件下）。另外，它們也具有電光系數(shù)高的特點，故也被用于制作Q開關(guān)等。

晶體特性

 

KDP

KD*P

分子式

KH2PO4

KD2PO4

透過波段

200-1500nm

200-1600nm

非線性系數(shù)

d36=0.44pm/V

d36=0.40pm/V

折射率(1064nm)

no=1.4938, ne=1.4599

No=1.4948, ne=1.4554

電光系數(shù)

 

r41=8.8pm/V
           r63=10.3pm/V

r41=8.8pm/V
           r63=25pm/V

縱向半波電壓:

Vp=7.65KV(l=546nm)

Vp=2.98KV(l=546nm)

光吸收：

0.07/cm

0.006/cm

光損傷閾值：

>5 GW/cm2

>3 GW/cm2

消光比：

 

30dB

KDP的Sellmier方程

no2=2.259276+0.01008956/(λ2-0.012942625)+13.00522λ2/(λ2-400) 
           ne2=2.132668+0.008637494/(λ2-0.012281043)+3.2279924λ2/(λ2-400) 

KD*P的Sellmier方程

no2=1.9575544+0.2901391λ2/(λ2-0.0281399)-0.02824391λ2+0.004977826λ2 
           ne2=1.5005779+0.6276034λ2/(λ2-0.0131558)-0.01054063λ2+0.002243821λ2 


本公司提供高質(zhì)量、大尺寸的KDP和KD*P晶體。因為其拋光面容易潮解，故建議在密封、干燥環(huán)境下使用。本公司可依照客戶提供的激光系統(tǒng)要求，專門制作對應(yīng)的晶體及密封支架。
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